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중국 반도체 생산량 10년 새 약 350% 증가…레거시 반도체 공급 확대 가속
중국 국가통계국 자료를 인용한 보도에 따르면 중국의 지난해 집적회로 생산량은 4,842억8,000만개로, 2015년 1,087억2,000만개 대비 약 350% 증가했습니다. 중국은 첨단 공정뿐 아니라 레거시 공정에서 대규모 증설을 이어가고 있습니다.
특히 중국 메모리 업체 CXMT는 상하이 린강에 신규 웨이퍼 공장을 건설 중이며, 계획대로 진행될 경우 2030년 생산능력이 현재의 두 배 수준으로 확대될 수 있다는 내용이 포함됐습니다. 보도는 이 경우 레거시 DRAM 공급 확대가 삼성전자·SK하이닉스의 범용 메모리 수익성에 부담이 될 가능성을 언급했습니다.
관련 종목: 삼성전자, SK하이닉스
관련 섹터: 반도체, DRAM, HBM, 전력반도체, 중국 반도체 공급망
체크 포인트: CXMT 증설 속도, DDR4·DDR5 가격, 중국산 레거시 반도체 점유율, HBM 개발 진척
주가 반응: 국내장 개장 전